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濺射靶材的性能要求
一、純度
純度是濺射靶材的主要性能指標(biāo)，濺射靶材的純度對薄膜的性能影響是很大的，不過在實(shí)際應(yīng)用過程中，不同產(chǎn)品對靶材的純度要求也各不相同。就比如在微電子行業(yè)中，隨著行業(yè)的發(fā)展，硅片的尺寸硅片尺寸鑄件發(fā)展，而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材純度就可以滿足0.35umIC的工藝要求，但對于制備0.18um線條之前的靶材純度就無法勝任，需要要求純度為更高一些。
二、雜質(zhì)含量
濺射靶材中雜質(zhì)和氣孔中的氧氣以及水氣是靶材沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對于雜質(zhì)含量的要求也不同。在半導(dǎo)體行業(yè)中使用的純鋁和鋁合金靶材，對于堿金屬含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
為了減少濺射靶材中的氣孔數(shù)量，提高濺射薄膜的性能，對濺射靶材的密度也有一定的要求。因?yàn)闉R射靶材的密度會影響靶材的濺射數(shù)量，還會影響薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不僅如此，提高靶材的密度和強(qiáng)度還能夠幫助靶材更好的承受濺射過程中的熱應(yīng)力，因此密度也是濺射靶材的重要性能指標(biāo)之一。
四、結(jié)晶取向
濺射靶材在濺射的適合，靶材原子容易沿著原子六方中比較緊密排列方向擇優(yōu)濺射出來，因此為了提高靶材濺射速度，需要通過改變靶材結(jié)晶結(jié)構(gòu)的方法來增加濺射速度。對于不同的材料有著不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，因此需要采取不同的成型方法、熱處理方法以及條件來提高靶材濺射效率和確保淀積薄膜的質(zhì)量。
一、純度
純度是濺射靶材的主要性能指標(biāo)，濺射靶材的純度對薄膜的性能影響是很大的，不過在實(shí)際應(yīng)用過程中，不同產(chǎn)品對靶材的純度要求也各不相同。就比如在微電子行業(yè)中，隨著行業(yè)的發(fā)展，硅片的尺寸硅片尺寸鑄件發(fā)展，而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材純度就可以滿足0.35umIC的工藝要求，但對于制備0.18um線條之前的靶材純度就無法勝任，需要要求純度為更高一些。
二、雜質(zhì)含量
濺射靶材中雜質(zhì)和氣孔中的氧氣以及水氣是靶材沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對于雜質(zhì)含量的要求也不同。在半導(dǎo)體行業(yè)中使用的純鋁和鋁合金靶材，對于堿金屬含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
為了減少濺射靶材中的氣孔數(shù)量，提高濺射薄膜的性能，對濺射靶材的密度也有一定的要求。因?yàn)闉R射靶材的密度會影響靶材的濺射數(shù)量，還會影響薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不僅如此，提高靶材的密度和強(qiáng)度還能夠幫助靶材更好的承受濺射過程中的熱應(yīng)力，因此密度也是濺射靶材的重要性能指標(biāo)之一。
四、結(jié)晶取向
濺射靶材在濺射的適合，靶材原子容易沿著原子六方中比較緊密排列方向擇優(yōu)濺射出來，因此為了提高靶材濺射速度，需要通過改變靶材結(jié)晶結(jié)構(gòu)的方法來增加濺射速度。對于不同的材料有著不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，因此需要采取不同的成型方法、熱處理方法以及條件來提高靶材濺射效率和確保淀積薄膜的質(zhì)量。
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